Os dados apresentados correspondem ao estudo de transistores verticais de efeito de campo com eletrólito no gate visando aplicações como fotodetectores UV, o que contempla investigação de dispositivos contraparte das arquiteturas planar e vertical, de modo a obter uma compreensão ampla da operação do transistor. Essas contrapartes incluem resistores, capacitores, diodos e os próprios transistores (planar e vertical). Também são apresentados dados relativos a transistores eletrolíticos produzidos sobre substratos à base de celulose (madeira e papel) foco em eletrônica sustentável. O conjunto de dados inclui caracterizações como as elétricas (curvas de saída e de transferência, correntes de fuga, medidas I–V e transientes, entre outras), microscopia eletrônica de varredura, microscopia de força atômica, espectroscopia de impedância, perfilometria, ângulo de contato, espectro de fotoluminescência.
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
FAPESP: 2020/12282-4
FAPESP: 2023/06645-5