| dc.creator |
Fernandes, José Diego |
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| dc.date |
2025-10-10T14:03:03Z |
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| dc.date |
2025-10-09 |
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| dc.identifier |
https://hdl.handle.net/11449/314215 |
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| dc.identifier |
1270815846605180 |
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| dc.identifier |
0000-0001-9891-1061 |
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| dc.description |
Os dados mostraram que os dispositivos respondem à luz de forma semelhante a processos de memória biológica, mas o desempenho depende fortemente do material usado como eletrólito. As técnicas utilizadas envolveram desde métodos de fabricação (PVD, fotolitografia), passando por análises estruturais avançadas (espectroscopias, microscopia e cálculos teóricos), até medições elétricas e ópticas detalhadas (curvas de corrente, resposta a pulsos de luz).
Sendo assim, os dispositivos construídos (fotoresistores e transistores EGOFETs) foram avaliados para entender como eles reagem à luz e como podem imitar funções de memória do cérebro. Os principais dados coletados foram:
Resposta elétrica à luz: medição da corrente elétrica quando o dispositivo era iluminado por pulsos de luz azul.
Aprendizado e esquecimento: verificação de como o dispositivo respondia a ciclos repetidos de luz, mostrando se “aprendia” a reagir mais rápido ou “esquecia” após certo tempo no escuro.
Comparação entre materiais: o mel foi usado como material isolante natural e comparado com um eletrólito sintético comercial. O mel funcionou, mas mostrou limitações (resposta fraca e esquecimento rápido). O eletrólito comercial apresentou desempenho muito melhor (resposta intensa e memória mais longa).
Medições elétricas: análise das curvas de corrente versus tensão para confirmar o funcionamento como transistor, tanto no escuro quanto sob iluminação. |
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| dc.description |
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) |
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| dc.description |
FAPESP: 2020/12060-1 |
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| dc.description |
FAPESP: 2022/14423-0 |
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| dc.format |
PDF |
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| dc.format |
EXP |
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| dc.format |
SMP |
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| dc.format |
OPJ |
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| dc.format |
XLS |
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| dc.format |
BMP |
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| dc.format |
application/octet-stream |
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| dc.language |
por |
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| dc.publisher |
Universidade Estadual Paulista (UNESP) |
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| dc.rights |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
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| dc.subject |
Semicondutores |
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| dc.subject |
Transistores |
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| dc.subject |
Dispositivos optoeletrônicos |
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| dc.title |
EGOFETs e diodo Schottky: influência do arranjo supramolecular sobre as propriedades elétricas |
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| dc.title |
EGOFETs and Schottky diode: influence of the supramolecular arrangement on electrical properties |
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| dc.type |
info:eu-repo/semantics/dataset |
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